厦门奇沃晟芯电子有限公司

供应德国进口IGBT模块FF300R12MS4【进口货源】

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF300R12MS4 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)

供应德国进口IGBT模块BSM75GB170DLC【进口货源】

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:BSM75GB170DLC 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)

供应德国进口IGBT模块FF600R12IP4【进口货源】

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF600R12IP4 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)

供应INF进口IGBT模块FF450R12KE4-E进口货源

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF450R12KE4-E 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)

供应德国进口IGBT模块FF300R12KE3【进口货源】

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF300R12KE3 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)

供应德国进口IGBT模块FF800R12KL4C

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF800R12KL4C 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)

〖一件起批〗 进口原装FF600R12IP4进口原装IGBT模块

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF600R12IP4 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 种类:绝缘栅(MOSFET)

〖一件起批〗 进口原装FF300R12KE4进口原装IGBT模块

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF300R12KE4 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:S/开关 种类:绝缘栅(MOSFET)

供应德国进口IGBT模块BSM200GB170DLC【进口货源】

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:BSM200GB170DLC 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)

〖一件起批〗 进口原装FF400R17KE3_B2进口原装IGBT模块

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF400R17KE3_B2 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:S/开关 种类:绝缘栅(MOSFET)

〖一件起批〗 进口原装FF600R12IE4进口原装IGBT模块

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF600R12IE4 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 种类:绝缘栅(MOSFET)

SEMIKRON〖一件起批〗赛米控 SKM400GAL176DL3西门康IGBT模块

品牌:SEMIKRON赛米控,其他 型号:SKM400GAL176DL3 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:MOS-HBM/半桥组件 种类:绝缘栅(MOSFET)

供应〖德国制造〗原装FF400R17KF6C_B2英飞凌IGBT模块

供应INFINEON英飞凌IGBT模块FZ1800R16KF4_S1

供应德国原装INFINEON英飞凌IGBT模块FZ1600R17KE3【德国货源】