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林先生 
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品牌:三菱 : 控制方式:BTG 极数:二极 封装材料:塑料封装 封装外形:平底形 关断速度:高频(快速) 散热功能:不带散热片 频率特性:高频 功率特性:大功率 额定正向平均电流:1 控制极触发电流:1 : :
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品牌:进口,英飞凌 : 控制方式:双向 封装材料:塑料封装 关断速度:高频(快速) 散热功能:带散热片 功率特性:大功率 封装外形:模块,其他 额定正向平均电流:151 频率特性:超高频 极数:二极 控制极触发电流:1
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品牌:ABB 型号:5SNA060065G0122 : 控制方式:双向 关断速度:高频(快速) 封装材料:塑料封装 功率特性:大功率 散热功能:带散热片 封装外形:模块,其他 : 频率特性:超高频 : 极数:二极 控制极触发电流:1
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品牌:Sanrex/三社,其他 型号:6MBP20RTA060 : 控制方式:双向 封装材料:金属封装 关断速度:普通 封装外形:平底形 散热功能:不带散热片 功率特性:大功率 额定正向平均电流:90 频率特性:高频 稳定工作电流:90 极数:多极,其他 控制极触发电流:1
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品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF150R12ME3G 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
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品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF200R12KT4 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
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品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF600R12KT3 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
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品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF800R12KL4C 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
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品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF1200R12KF4 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
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品牌:INFINEON/英飞凌 型号:BSM150GB170DN2 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
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品牌:INFINEON/英飞凌 型号:BSM150GB170DLC 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
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品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF400R12KE3 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
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品牌:INFINEON/英飞凌 型号:DZ800S17K3 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 种类:绝缘栅(MOSFET)
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品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF450R12IE4 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:S/开关 种类:绝缘栅(MOSFET)
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品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF600R12KE3 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 种类:绝缘栅(MOSFET)
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