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会员类型:
会员年限:5年
品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF300R12MS4 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
发布询价品牌:INFINEON/英飞凌 型号:BSM75GB170DLC 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
发布询价品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF600R12IP4 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
发布询价品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF450R12KE4-E 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
发布询价品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF300R12KE3 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
发布询价品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF800R12KL4C 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
发布询价品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF600R12IP4 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 种类:绝缘栅(MOSFET)
发布询价品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF300R12KE4 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:S/开关 种类:绝缘栅(MOSFET)
发布询价品牌:INFINEON/英飞凌 型号:BSM200GB170DLC 导电方式:增强型 沟道类型:其他 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:TR/激励、驱动 种类:绝缘栅(MOSFET)
发布询价品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF400R17KE3_B2 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:S/开关 种类:绝缘栅(MOSFET)
发布询价品牌:INFINEON/英飞凌 型号:FF600R12IE4 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 种类:绝缘栅(MOSFET)
发布询价品牌:SEMIKRON赛米控,其他 型号:SKM400GAL176DL3 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:MOS-HBM/半桥组件 种类:绝缘栅(MOSFET)
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